湖州雜質設備*
ADL系列導軌式安裝電能表,可以很方便地安裝在配電柜(箱)背面的導軌上,不需要對面板進行開孔,這種一對一式的計量,對于系統的檢修維護是非常方便的。圖2DTSF1352電表外形及其在動力箱中的應用采用ACR12EL多功能電表,該表為嵌入式安裝,可安裝在動力箱或低壓出線柜門板上,面板尺寸為8mm8mm,開孔為76mm76mm,規格為22/38V、5A,電流經互感器二次接入,精度.5級,可測量電流、電壓、功率、頻率、功率因數、四象限電能等電參量,帶RS485接口,Modbus通訊協議。
隨著科學技術的進步,20世紀80年代以來,有4種軟電離技術產生,分別為等離子體解吸(PD-MS)、快原子轟擊(FAB )、電噴霧(ESI )和基質輔助激光解吸/電離(MALDI)。
等離子體解吸的原理是:采用放射性同位素的核裂變碎片作為初級粒子轟擊樣品使其電離,樣品以適當溶劑溶解后涂布于0.5-1µm 厚的鋁或鎳箔上,核裂變碎片從背面穿過金屬箔,把大量能量傳遞給樣品分子,使其解吸電離。在制備樣品時,采用硝化纖維素作為底物使得PD-MS 可用以分析分子量高達14 000 的多肽和蛋白質樣品。
湖州雜質設備*A型又稱防腐儀。B型(防垢除垢)射頻水處理器B型產生高能量的射頻電場,作用于水系統管路上,使管道內水分子產生共振,把氫鍵締合的水分子團變成單個的極性,改變了水的活化性,這些極微小的水分子可以滲透、包圍、溶解、去除系統中的老垢,使水中的Ca2+、Mg2+和CO32-,互相碰撞,形成松軟的特殊的文石晶體,由于這些晶體表面沒有電荷,不再吸附在管壁上或設備上,達到除垢防垢的目的。B型又稱除垢儀。C型(殺菌滅藻)射頻水處理器C型在工作時釋放高能量的射頻電場,改變細菌,藻類細胞的生存環境使其喪失生存條件而死亡,從而具有殺菌滅藻的作用。
快原子轟擊的原理是,一束高能粒子,如氬、氙原子,射向存在于液態基質中的樣品分子而得到樣品離子,這樣可以得到提供分子量信息的準分子離子峰和提供化合物結構信息的碎片峰??煸愚Z擊操作方便、靈敏度高、能在較長時間里獲得穩定離子流。當用于絕大多數生物體中寡糖及其衍生物的分析時,可測分子量達6000。而且在該質量范圍內,其靈敏度遠高于在15000 范圍
質譜儀
內新一代全加速儀器的靈敏度。此外,Camim 等采用FAB-MS 分析從Hafnia alvei中得到的四個寡糖組分,檢測到了NMR 不能觀測到的寡糖、并揭示了寡糖結構的非均一性。
電噴霧電離的原理是:噴霧器頂端施加一個電場給微滴提供凈電荷;在高電場下,液滴表面產生高的電應力,使表面被破壞產生微滴;荷電微滴中溶劑的蒸發;微滴表面的離子“蒸發"到氣相中,進入質譜儀。為了降低微滴的表面能,加熱至200~250℃,可使噴霧效率提高。FAB-MS 可以顯示碎片離子,但只能產生單電荷離子,因此不適用于分析分子量超過分析器質量范圍的分子。ESI 可以產生多電荷離子,每一個都有準確的小m/z 值。此外還可以產生多電荷母離子的子離子,這樣就可以產生比單電荷離子的子離子更多的結構信息。而且,ESI-MS 可以補充或增強由FAB 獲得的信息,即使是小分子也是如此。
一臺品質優良的液相色譜系統應從以下幾個方面考慮:一.主要技術指標優異首先是如何看指標。液相色譜儀的指標很多,有泵的、檢測器的、色譜柱等等。我們認為要看主要技術指標,根據國家標準,儀器的主要指標有噪音,漂移,小檢測濃度,定性定量重復性等。這些指標都要放在系統,回路里去看,去比較。就是需要把各單元裝置都要聯接好,如接好色譜柱,進樣閥,并且要通上流動相。因為您在分析中也都是聯接好以后才可以進行分析的,而不是單單用個檢測器或是泵的。
質譜儀
基質輔助激光解吸離子化質譜(Matrix-assisted laser desorption ionization mass spectrometry,MALDI-MS) 是20世紀80 年代末問世并迅速發展起來的質譜分析技術。這種離子化方式產生的離子常用飛行時間(time of flight,TOF)檢測器檢測,因此MALDI常與TOF一起稱為基質輔助激光解吸離子化飛行時間質譜(MALDI-TOF-MS)。MALDI-TOF-MS技術,使傳統的主要用于小分子物質研究的質譜技術發生了革命性的變革,從此邁入生物質譜技術發展新時代。該技術的特點是采用被稱為“軟電離"方式,一般產生穩定分子離子,因而是測定生物大分子分子量的有效方法,廣泛地運用于生物化學,尤其對蛋白質、核酸的分析研究已經取得了突破性進展。MALDI-MS 在糖研究中的應用,也顯示出一定的潛力和應用前景。另外在高分子化學、有機化學、金屬有機化學、藥學等領域也顯示出*的潛力和應用前景,已經成為廣大科技工作者研究于分析大分子分子質量、純度、結構的理想工具。其廣泛應用于生物化學領域,
EDS分析結果表明這種分布在晶界上的碳化物鉻含量明顯高于基體。這種碳化物是M23C6型。隨碳化物的析出,又得不到鉻的擴散補充時,以碳化鉻的形式沿奧氏體晶界析出,在碳化物周圍形成貧鉻區,從而奧氏體不銹鋼晶界易被腐蝕。所以沿晶界析出的碳化物是造成蝶閥銹蝕的主要原因。經固溶處理后的奧氏體不銹鋼,由于在高溫加熱時大部分碳化物被溶解,奧氏體中飽和了大量的碳與鉻,并因隨后的快速冷卻而固定下來,使材料有很商的耐腐蝕性。